通过合理的ESD静电防护措施,可以提高电子设备的性能和可靠性,保障设备的正常运行和数据的安全性。其实很简单,就是要降低Vt1(Trigger电压),我们通过栅极增加电压的方式,让衬底先开启代替击穿而提前导通产生衬底电流,这时候就能够让其他finger也一起开启进入导通状态,让每个finger都来承受ESD电流,真正发挥大面积的ESD作用。
ESD静电保护器是一种过压,防静电保护元件,用来保护电子设备中敏感电路受到ESD(这可以通过采用防静电材料、增加环境湿度、使用防静电设备等方法来实现。静电放电保护可以从FAB端的Process解决,也可以从IC设计端的Layout来设计,所以你会看到Prcess有一个ESD的option layer,或者Design rule里面有ESD的设计规则可供客户选择等等。
1、esd防静电门禁厂家
在设备外壳的设计中,可以采用以下几种方法来实现ESD静电防护:这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。我们经常看到ESD静电保护器、ESD静电阻抗器件、ESD静电释放器、SMD压敏电阻等产品的引入,但是这样的话这个额外的MOS的Gate就必须很长防止穿通(punchthrough),而且因为器件不一样了,所以需要单独提取器件的SPICE Model。
2、esd防静电门禁系统
制程上的ESD:要么改变PN结,要么改变PN结的负载电阻,而改变PN结只能靠ESD_IMP了,而改变与PN结的负载电阻,就是用non-silicide或者串联电阻的方法了。串联电阻法:这种方法不用增加光罩,应该是最省钱的了,原理有点类似第三种(SAB)增加电阻法,我就故意给他串联一个电阻(比如Rs_NW,或者HiR,等),这样也达到了SAB的方法。
3、esd防静电监控系统
在生产环境的设计中,可以采用以下几种方法来实现ESD静电防护:PN结的击穿分两种,分别是电击穿和热击穿,电击穿指的是雪崩击穿(低浓度)和齐纳击穿(高浓度),而这个电击穿主要是载流子碰撞电离产生新的电子-空穴对(electron-hole),所以它是可恢复的。随着电子设备的普及,静电放电(ESD)已经成为一个越来越严重的问题。
4、esd防静电测试标准
而且ESD不仅和Design相关,更和FAB的process相关,而且学问太深了,我也不是很懂。我们今天要讨论的时候如何在电路里面涉及保护电路,当外界有静电的时候我们的电子元器件或系统能够自我保护避免被静电损坏(其实就是安装一个避雷针)。
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